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論壇
3d dram
在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
網(wǎng)絡與存儲
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
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2024-11-14
北京君正：21nm DRAM新工藝預計年底推出
網(wǎng)絡與存儲
北京君正
21nm
DRAM
|
2024-11-14
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
EDA/PCB
郭明錤
英特爾
Lunar Lake
DRAM
CPU
封裝
AI PC
LNL
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2024-11-06
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
網(wǎng)絡與存儲
鎧俠
存儲技術
DRAM
MRAM
3D堆疊
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2024-10-24
HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升
網(wǎng)絡與存儲
HBM
DRAM
TrendForce
|
2024-10-17
三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計算
網(wǎng)絡與存儲
三星
24Gb
GDDR7
DRAM
人工智能計算
|
2024-10-17
臺積電OIP推3D IC設計新標準
EDA/PCB
臺積電
OIP
3D IC設計
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2024-09-30
TrendForce：內(nèi)存下半年價格恐摔
網(wǎng)絡與存儲
TrendForce
內(nèi)存
DRAM
|
2024-08-30
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
網(wǎng)絡與存儲
SK海力士
第六代
10納米級
DDR5 DRAM
|
2024-08-29
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%，預期第三季合約價將上調(diào)
網(wǎng)絡與存儲
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
|
2024-08-16
imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構
EDA/PCB
imec
High-NA
EUV
DRAM
|
2024-08-13
外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM
手機與無線通信
三星
手機芯片
LPDDR5X DRAM
|
2024-08-07
HBM排擠效應 DRAM漲勢可期
網(wǎng)絡與存儲
HBM
DRAM
美光
|
2024-07-18
圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力
網(wǎng)絡與存儲
紫光國芯
慕尼黑電子展
DRAM
SeDRAM
CXL
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2024-07-11
內(nèi)存制造技術再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出
網(wǎng)絡與存儲
HBM
3D DRAM
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2024-07-08
鎧俠公布藍圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
網(wǎng)絡與存儲
鎧俠
3D NAND堆疊
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2024-07-01
服務器支撐下半年需求，預估DRAM價格第三季漲幅達8-13%
網(wǎng)絡與存儲
服務器
DRAM
TrendForce
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2024-06-27
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
網(wǎng)絡與存儲
SK海力士
3D DRAM
|
2024-06-26
云端CSPs將擴大邊緣AI發(fā)展，帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達7%
網(wǎng)絡與存儲
云端
CSPs
邊緣AI
DRAM
TrendForce
|
2024-06-26
西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場
EDA/PCB
西門子
Calibre 3DThermal
3D IC
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2024-06-25
HBM供應吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲
網(wǎng)絡與存儲
HBM
DRAM
美光
|
2024-06-25
美光后里廠火災 公司聲明營運未受任何影響
網(wǎng)絡與存儲
美光
DRAM
|
2024-06-21
通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關產(chǎn)線開工率維持 80~90%
網(wǎng)絡與存儲
DRAM
閃存
三星
海力士
|
2024-06-19
合約價勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增
網(wǎng)絡與存儲
存儲器
DRAM
TrendForce
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2024-06-17
合約價上漲抵消淡季效應，推升DRAM第一季營收季增5.1%
網(wǎng)絡與存儲
淡季效應
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
|
2024-06-13
南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
網(wǎng)絡與存儲
南亞科技
內(nèi)存
DRAM
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2024-05-30
美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
網(wǎng)絡與存儲
美光
DRAM
日本
EUV
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2024-05-29
HBM火熱效應 DRAM下半年 可望供不應求
網(wǎng)絡與存儲
HBM
DRAM
TrendForce
|
2024-05-21
邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
網(wǎng)絡與存儲
3D 內(nèi)存
存儲
三星
|
2024-05-21
三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
三星
SK海力士
內(nèi)存
DRAM
HBM
|
2024-05-16
SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存
網(wǎng)絡與存儲
海力士
三星
DRAM
|
2024-05-14
SK海力士試圖用低溫蝕刻技術生產(chǎn)400多層的3D NAND
網(wǎng)絡與存儲
SK海力士
3D NAND
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2024-05-08
第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
網(wǎng)絡與存儲
DRAM
NAND Flash
TrendForce
|
2024-05-07
2025年HBM價格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預估將逾三成
網(wǎng)絡與存儲
HBM
DRAM
TrendForce
|
2024-05-06
5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
EDA/PCB
5G
聯(lián)電
RFSOI
3D IC
|
2024-05-05
聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預計今年量產(chǎn)
EDA/PCB
聯(lián)電
3D IC
|
2024-05-05
SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地
網(wǎng)絡與存儲
SK海力士
AI
DRAM
|
2024-04-25
如何減少光學器件的數(shù)據(jù)延遲
模擬技術
3D-IC
|
2024-04-23
Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進的點云
機器人
Zivid
3D
機器人
|
2024-04-22
存儲大廠技術之爭愈演愈烈
網(wǎng)絡與存儲
存儲器
DRAM
TrendForce
|
2024-04-15
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